型号:RSS110N03FU6TB | 类别:FET - 单 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 11A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 10.7 毫欧 @ 11A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 17nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1300pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
深圳市格雷迪电子有限公司 | 林先生15914072177 |
深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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